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基于碳化硅MOSFET的器件建模与仿真 肖婵娟;张豪;梁文才;吴冬华 【期刊名称】《电力电子技术》 【年(卷),期】2018(052)010 【摘 要】针对某功率等级为1 700 V/225 A的全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过实验测试了其静态和动态特性,并将其与同功率等级的硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及混合SiC器件对比,发现SiC器件的性能优于Si器件.其次重点研究了基于datasheet建立的SiC MOSFET模型,通过曲线拟合在PSpice中建立器件的静态仿真模型,通过M语言的编写在Madab软件中建立动态仿真模型.将仿真结果与datasheet中的数据进行对比验证,发现该模型能够准确反映SiC MOSFET的静、动态特性,为器件应用时的损耗计算、特性分析以及电力电子开关变换器的设计优化奠定了基础. 【总页数】3页(P122-124) 【作 者】肖婵娟;张豪;梁文才;吴冬华 【作者单位】中车青岛四方机车车辆股份有限公司,山东青岛266111;中车青岛四方机车车辆股份有限公司,山东青岛266111;中车青岛四方机车车辆股份有限公司,山东青岛266111;中车青岛四方机车车辆股份有限公司,山东青岛266111 【正文语种】中 文 【中图分类】TN32 【相关文献】 1.基于Saber的高压大功率IGCT器件的建模与仿真研究 [J], 张新民;李明勇;代科 2.基于Saber器件库的L6599芯片建模及仿真 [J], 李翔翔;孙爱鸣 3.基于Simulink的SiC MOSFET功率器件建模 [J], 杨永明;王超;迟耀丹 4.基于ABM器件的SiC MOSFET建模研究 [J], 王迪迪;宁平凡;刘婕;张永刚 5.基于Simulink的SiC MOSFET功率器件建模 [J], 杨永明;王超;迟耀丹 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.dywdw.cn/338aea955bf5f61fb7360b4c2e3f5727a5e924e3.html
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2023-04-02
