电子元器件在铯137辐射环境下的性能测试

2022-03-30 00:50:37   第一文档网     [ 字体: ] [ 阅读: ] [ 文档下载 ]
说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全。下载后的文档,内容与下面显示的完全一致。下载之前请确认下面内容是否您想要的,是否完整无缺。下载word有问题请添加QQ:admin处理,感谢您的支持与谅解。点击这里给我发消息

#第一文档网# 导语】以下是®第一文档网的小编为您整理的《电子元器件在铯137辐射环境下的性能测试》,欢迎阅读!
元器件,辐射,性能,环境,测试

课题内容介绍

由于电子元器件的材料和制造工艺不同,其耐受的辐照剂量以及剂量率可能就不同。本课题主要研究在实验室用放射源137Cs辐照的条件下,电子元器件的性能的变化。为在辐照环境下的电子设备的设计提供必要的基础数据。

1. 熟悉电子元件辐射的损伤机理,查阅期刊库与电子元件辐射损伤相关的文献,针对本课题研究意义和研究方法写出一份开题报告。 2. 以典型的电子元件:电阻、电感、电容为研究对象,设计并建立实验测试平台,改变剂量率和辐照时间来测试元器件的性能。

毕业设()要求

3. 写出一篇完整的毕业论文。

要求

4. 开题报告应查阅20篇以上的中、英文文献,字数不少于3000字。 5. 电子元件种类三种以上,剂量率和辐照时间分别选择三种情况。

6. 论文逻辑清楚、结构合理,完全达到学校对毕业论文的规定和要求。



内容介绍:由于电子器件的材料和制作工艺不同,其耐受的辐射剂量以及剂量率可能不同,课题主要研究在实验室用放射源铯137辐照的条件下,电子元器件的性能变化,为辐照环境下的电子设备的设计提供必要的基础数据

要求:1.熟悉电子元件辐射的损伤机理,查阅期刊数据库与电子元件辐射损伤相关的文献,针对本课题研究意义和研究方法写出一篇开题报告。

2.以典型的电子元件:电阻、电感、电容为研究对象,设计并建立实验测试平台,改变剂量率和辐照时间来测试元器件的性能。

3.开题报告应查阅20篇以上的中、英文文献,字数不少于3000字。 4.电子元件种类三种以上,剂量率和辐照时间分别选择三种情况。 5.论文逻辑清楚,结构合理,完全达到学校对毕业设计的要求和规定。 CMOS芯片(桥结绝缘层)经β粒子照射1h之后。 Es 0.5 1.5 2.0 4.0 7.0 Nep 13230 45540 45560 45350 45860 Nvi 2.896 136.1 187.2 1020 2993

Es:电子束能量(Mev Nep:电子-空穴对密度:x1017/cm3 Nvi:离位原子密度x1014/cm3

电子元器件的辐射效应

空间辐射效应将导致元器件性能衰退,半导体增益降低,工作点漂移,甚至完全损坏。其辐射效应有三种


本文来源:https://www.dywdw.cn/b3877de6ad51f01dc381f124.html

相关推荐
推荐阅读